О конференции

Халькогенидные стекла

• Бражкин В.В., академик РАН, д.ф.-м.н., директор ИФВД РАН, Москва «Халькогенидные стекла и высокие давления»
• Бурункова Ю.Э., к.ф.-м.н., доцент ИТМО, Санкт-Петербург «Оптические композитные среды на основе наночастиц сульфида мышьяка и золота в фотоотверждаемых акрилатах и пористых стеклах»
• Вельмужов А.П., к.х.н., с.н.с. ИХВВ РАН, Нижний-Новгород «Особо чистые стекла на основе халькогенидов германия и галлия. Получение. Свойства. Применение»
• Заботнов С.В., к.ф.-м.н., доцент МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва «Лазерно-индуцированные периодические поверхностные структуры в тонких халькогенидных пленках: моделирование и эксперимент»
• Тверьянович Ю.С., д.х.н., профессор СПбГУ, Санкт-Петербург «Халькогенидные стекла - ключ к пониманию причин особенностей свойств неорганических полупроводниковых материалов, содержащих металлы группы меди»

Фазопеременные материалы

• Дьяков С.А., д.ф.-м.н., доцент Сколтех, Москва «GST-driven wire-grid polarizer featuring switchable polarization control»
• Колобов А.В., д.ф.-м.н., директор института Физики РГПУ им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург «Phase-transition in crystalline GeTe revisited»
• Командин Г.А., д.ф.-м.н., в.н.с. ИОФ РАН, Москва «Эволюция широкополосного электродинамического отклика тонких пленок Ge2Sb2Te5 и VO2 по данным импульсной ТГц и ИК Фурье спектроскопии»
• Приходько А.С., к.ф.-м.н., с.н.с. НИУ МИЭТ, Зеленоград «Характеризация морфологии поверхности эпитаксиальной пленки Ge-Sb-Te с применением нейросетевого анализа электронно-микроскопических изображений»
• Синельник А.Д., к.ф.-м.н., н.с. Университет ИТМО, Санкт-Петербург «Некогерентная активная фотоника на основе GST»
• Шорохов А.С., к.ф.-м.н., доцент МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва «Реконфигурируемая нанофотоника для аналоговых оптических вычислений»
• Yan Cheng, professor ECNU, Shanghai, China «Atomic-Scale Insights into the Structure and Switching Behavior in Chalcogenides»
• Song Sannian, Professor SIMIT, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China «From Phase-Change Memory to Selector-Only Memory: A Chalcogenide Materials Perspective»
• Zhang Wei, professor, Xi`an Jiaotong University, Xi`an, China «No-drift phase-change materials for neuromorphic computing»
• Wang Xuepeng, professor, Shenzhen University, Shenzhen, China «Switching Mechanism of Two-Dimensional Phase-Change Materials for Enabling Low Power Consumption and Low Resistance Drift Applications»

Термоэлектрические материалы и устройства на их основе

• Волощук И.А., м.н.с. НИУ МИЭТ, Зеленоград «Гибкие термоэлектрические генераторы на основе толстопленочных термоэлектрических материалов»
• Бурков А.Т., д.ф.-м.н., г.н.с., зав. лабораторией ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург «Теллурид Германия: структура и термоэлектрические свойства»
• Дорохин М.В., д.ф.-м.н., в.н.с. НГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород «Силициды переходных металлов как перспективные термоэлектрические материалы на три температурных диапазона»
• Пшенай-Северин Д.А., к.ф.-м.н., с.н.с. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург «Электронная структура и решеточные свойства GeTe с упорядоченным расположением вакансий Ge»
• Ховайло В.В., д.ф.-м.н., в.н.с. ИФИ НАН Армении, Армения «Skutterudites: materials science aspects for large-scale production»
• Штерн Ю.И., д.т.н., проф. НИУ МИЭТ, Зеленоград «Термоэлектрическое преобразование энергии. Современное состояние, проблемы и перспективы»

Материалы и устройства солнечной энергетики

• Алешин А.Н., д.ф.-м.н., зав. лаб., зам. рук. отделения ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург «Повышение эффективности и стабильности гибридных перовскитных структур путем их комбинированной модификации пассивирующими аддитивами для тандемных солнечных элементов»
• Арискин В.Г., ген.дир. ООО «Санлайт», Саранск «Тонкопленочные солнечные модули на основе селенида индия-галлия-меди (CIGS), ключевые характеристики и особенности применения»
• Гостищев П.А., к.т.н., в.н.с. НИТУ МИСИС, Москва «Масштабирование технологии изготовления перовскитных солнечных модулей»
• Дмитриев И.Ю., к.ф.-м.н., рук. группы, вед. технол. ООО «Хевел», Санкт-Петерубрг «Кремний-перовскитные тандемные фотопреобразователи: преодоление барьеров на пути к промышленному производству»
• Тарасенко А.Б., н.с. ОИВТ РАН, Москва «Стенд мониторинга работы фотоэлектрических модулей и станций с учетом требований российских и зарубежных стандартов»
• Теруков Е.И., д.т.н., зав. лабораторией ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург «Космическая фотоэнергетика»
• Шварц М.З., к.ф.-м.н., зав. лабораторией ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт Петербург «Высокоэффективные гетероструктурные А3В5 фотопреобразователи солнечной и лазерной энергии»
• Yang Chang, vice-dean, School of Information and Electronic Engineering, ECNU, Shanghai, China «P-type transparent conductor based on Cu-I-S thin film»

Микро- и наноструктурирование

• Бутов О.В., д.ф.-м.н., зам. директора по научной работе ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва «Волоконные брэгговские решетки, сформированные излучением фемтосекундного лазера»
• Достовалов А.В., к.ф.-м.н., в.н.с. ИАиЭ СО РАН, Новосибирск «Reconfigurable Metasurfaces via Femtosecond Laser Patterning of Chalcogenide Phase-Change Materials»
• Дубков С.В., к.т.н., директор Института ПМТ НИУ МИЭТ, Зеленоград «ГКР-активные наноматериалы для анализа твердотельных структур и многокомпонентных жидких сред»
• Кицюк Е.П., к.т.н., нач. лаборатории НПК «Технологический центр», Зеленоград «Лазерное структурирование массивов УНТ»
• Ковалев М.С., к.ф.-м.н., с.н.с. ФИАН, Москва «Локальное легирование кремния ионной имплантацией как ключевой этап создания волноводных фотодетекторов на КНИ-платформах»
• Кучмижак А.А., к.ф.-м.н., в.н.с. ИАПУ ДВО РАН, Владивосток «Безабляционное импульсное лазерное наноструктурирование материалов»
• Лотин А.А., д.ф.-м.н., зам. рук. отделения НИЦ «Курчатовский институт», Москва «Динамика физических свойств фазопеременных материалов при лазерно-индуцированном фазовом переходе»
• Резервный слот

Интегральная фотоника и волоконная оптика

• Драчев В.П., д.ф.-м.н., профессор, директор Центра инженерной физики, Сколтех, Москва «Магнитные и интегральные наноструктуры»
• Камынин В.А., к.ф.-м.н., с.н.с., ИОФ РАН, Москва «Волоконные генераторы пакетов пикосекундных импульсов с гигагерцовой частотой»
• Ковалюк В.В., к.ф.-м.н., зав. лабораторией НИТУ МИСИС, Москва «Газовые и микрофлюидные сенсоры на основе фотонных интегральных схем»
• Косолобов С.С., д.ф.-м.н., профессор Сколтех, Москва «Кремниевая интегральная фотоника дл устройств волоконной оптики»
• Кудряшов С.И., д.ф.-м.н., в.н.с., рук. лаборатории ФИАН, Москва «Структурные и фазовые эффекты имплантационного сверхлегирования кремния в свете бесконтактной терагерцовой диагностики»
• Никитин А.А., к.ф.-м.н., зав. кафедрой СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург «Метод определения частотных зависимостей коэффициентов связи и затухания»
• Охримчук А.Г., к.ф.-м.н., в.н.с. ИОФ РАН, Москва «Волноводные структуры и брэговские решётки, записываемые пучком фемтосекундного лазера в кристаллах и стёклах»
• Паняев И.С., к.ф.-м.н., с.н.с. УлГУ, Ульяновск «Сравнение эффективности техники самозахвата частоты волоконного кольцевого резонатора полупроводниковыми РОС-лазерами от разных производителей»
• Пономарев Р.С., к.ф.-м.н., зав. лабораторией ПГНИУ, Пермь «Волоконно-оптические элементы ввода излучения и их применение в зондовой станции»
• Светухин В.В., член.-корр. РАН, д.ф.-м.н., директор НПК «Технологический центр», Зеленоград «Интегральная фотоника как направление развития вычислительной техники»
• Соколовский Г.С., д.ф.-м.н., г.н.с. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург «Мощные квантово-каскадные лазеры и детекторы среднего инфракрасного диапазона»
• Устинов А.Б., д.ф.-м.н., профессор СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург «Оптоэлектронные СВЧ генераторы: обзор современного состояния и перспектив»
• Ушаков Н.А., д.ф.-м.н., профессор СПбПУ, Санкт-Петербург «Применение оптических интерферометрических методов для исследования диэлектрических и полупроводниковых материалов»
• Трещиков В.Н., к.ф.-м.н., ген. директор ООО «Т8», Москва «Компактные высокостабильные лазерные источники и методы измерения спектрально-временных характеристик»
• Шамрай А.В., д.ф.-м.н., зав. лабораторией ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург «Интегральная фотоника на основе ниобата лития: сложная борьба за лидерство»

Оборудование, технологии и технические решения

Информация о приглашенных докладчиках появится позже

Измерительные методики, структурные и функциональные свойства материалов

• Гавдуш А.А., к.ф.-м.н., с.н.с. ИОФ РАН, Москва «Развитие методов широкополосной диэлектрической спектроскопии на примере анализа экспериментальных данных в лабораторной астрофизике»
• Гаврилин И.М., к.х.н., с.н.с. НИУ МИЭТ, Зеленоград «Бестемплатный электрохимический синтез нитевидных наноструктур германия»
• Краснобородько С.В., к.т.н., тех. директор ООО НТЦ «ЭМТИОН», Зеленоград «Аналитическое и технологическое оборудование для исследований и мелкосерийного производства»
• Толкач Н.М., к.ф.-м.н., рук. направления ООО «Активная Фотоника», Зеленоград «Определение кристаллического совершенства синтетических объемных алмазов методами спектроскопии»
• Утамурадова Ш.Б., директор НИИ ФПМ, Ташкент, Узбекистан «Электрофизические, структурные и функциональные свойства кремния, легированного эрбием»
• Peng Hui, professor ECNU, Shanghai, China «Dual-mode Transparent Synaptic Device Based on CsCu2I3 for Neuromorphic Computing and Visual Processing»
• Резервный слот